青海硅基氮化鎵芯片測試

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的熱物性測試儀產品能夠準確、高效地測試材料的熱物性，為研究人員提供數據支撐。公司的熱物性測試儀產品無論在技術指標、測試精度還是穩定性方面都達到了先進水平。該設備操作簡單方便，準確性高，能夠滿足多種測試需求，包括熱導率分析、熱阻分析等。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司的熱物性測試儀產品可以解決材料的熱評估難題，市場認可度高，將為科研工作注入新的活力。芯谷高頻研究院擁有完善的表面處理、鍵合、轉印、粘片、減薄、CMP等異質集成工藝技術， 可提供定制化服務。青海硅基氮化鎵芯片測試

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可以對外提供光電芯片測試服務，包括光電集成芯片在片耦合測試、集成微波光子芯片測試等。在光電芯片測試方面，公司經驗豐富，設備先進，能夠高效準確地完成多種測試任務。對于光電集成芯片在片耦合性能測試和集成微波光子芯片測試，公司都可以提供專業的測試服務。公司擁有先進的測試設備和設施，可以滿足多種測試需求。此外，公司擁有一支專業的研發團隊，致力于提高測試技術的精度和效率。公司致力于為客戶提供高質量的測試服務，助力光電芯片領域的創新發展。貴州金剛石器件及電路芯片工藝技術服務南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院公共技術服務平臺可提供先進芯片工藝技術服務、微組裝及測試技術服務。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質異構集成技術服務，可進行以下先進集成材料制備和研發：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質晶圓，用于低損耗光學平臺；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺；4)Miro-Cavity-SOI，內嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環柵GAA，MEMS等器件平臺；5)SionSiC/Diamond，解決傳統Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質晶圓定制研發。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺在背面工藝方面，擁有鍵合機、拋光臺、磨片機等，可以進行晶片的減薄、拋光以及劃片工藝。公司公共技術服務平臺支持晶圓鍵合工藝，可以支持6英寸及以下晶圓的鍵合，并具備介質、熱壓、共晶、膠粘等鍵合能力，鍵合精度達到2um。鍵合工藝可以將不同的晶圓材料組合在一起，從而制造出具有更高性能的芯片。憑借研究院的技術實力和專業的服務團隊，公共技術服務平臺將為客戶提供更加優良的技術服務，不斷創新晶圓鍵合工藝，助力高科技產業的發展。芯谷高頻研究院的高功率密度熱源產品，可為客戶定制化開發各種熱源微結構及功率密度。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發服務，該芯片電路工作頻段達到1.5THz；適用于工作頻率0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲混頻、倍頻應用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成電路設計與加工服務，GaAs薄膜型SBD集成電路是目前主流的技術解決方案。研究院可根據客戶需求進行定制化開發，可應用于太赫茲混頻、倍頻、檢波等技術方向。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將不斷提高研發水平，為客戶提供更好的服務。芯谷高頻研究院的熱物性測試儀產品能夠準確、高效地測試材料的熱物性，為研究人員提供數據支撐。河北氮化鎵器件及電路芯片工藝定制開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院的CVD用固態微波功率源產品具有集成度高，尺寸小、壽命高等特性。青海硅基氮化鎵芯片測試

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司是國內為數不多擁有先進太赫茲測試能力的單位之一。公司能夠進行高效準確的測試工作，可以測試至400GHz的各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數測試和器件建模。此外，公司還能夠實現高達500GHz的電路功率測試和噪聲測試。這些能力展示了公司在太赫茲測試領域較強的實力。通過持續的創新和研發，公司不斷拓展技術邊界，為客戶提供更加專業、高質量的服務。作為高頻器件產業企業，公司為整個行業的發展貢獻著自己的力量。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將繼續致力于太赫茲測試技術的創新和應用，為推動整個行業的進一步發展做出更大的貢獻。青海硅基氮化鎵芯片測試

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